[发明专利]应用于高精度逐次逼近型ADC的双无源噪声整形校正方法在审
| 申请号： | 202211148821.0 | 申请日： | 2022-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN115499007A | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 张啸蔚;何乐年;奚剑雄;钱福悦;施政学 | 申请（专利权）人： | 浙江大学;杭州悦芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03M1/10 | 分类号： | H03M1/10;H03M1/08;H03M1/46 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 王琛 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应用于高精度逐次逼近型ADC的双无源噪声整形校正方法，其将噪声整形技术与校正算法结合，在芯片上电后的一段时间内，通过有限的校正DAC电容阵列和噪声整形技术，可以获得更高精度的SAR ADC电容失配和比较器失调电压的校正编码。在正常工作模式中，本发明再次结合噪声整形技术，将校正编码以模拟量的形式添加到主DAC中，减少了非理想因素带来的影响。本发明复用采样积分电容，结构简单，以较小的功耗代价，明显改善校正的准确性，并且增加整体的信噪比和无杂散动态范围，使SAR ADC整体效率提升。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 高精度 逐次 逼近 adc 无源 噪声 整形 校正 方法 | ||
【主权项】：
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