[发明专利]通过二次退火引入碘三负离子减小钙钛矿薄膜带隙的方法在审

专利信息
申请号: 202211137516.1 申请日: 2022-09-19
公开(公告)号: CN115536058A 公开(公告)日: 2022-12-30
发明(设计)人: 秦知校;陆磊 申请(专利权)人: 上海钙晶科技有限公司
主分类号: C01G21/00 分类号: C01G21/00;C09K11/02;C09K11/66
代理公司: 上海锻创知识产权代理有限公司 31448 代理人: 何惠燕
地址: 201100 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种通过二次退火引入碘三负离子减小钙钛矿薄膜带隙的方法;包括:将碘化铯和碘化铅混合溶解于溶剂A中得前驱体溶液;将前驱体溶液旋涂到基片上,进行一次退火,得到钙钛矿中间相薄膜;再将含有三碘化物的溶液B滴加旋涂到钙钛矿中间相薄膜上,进行二次退火得到含有三碘化物的CsPbI3·xMI3钙钛矿薄膜。通过二次退火引入碘三负离子,使得该钙钛矿薄膜的带隙变窄,拓宽了钙钛矿薄膜的光吸收范围,有利于增加对太阳光的利用率。此外,该钙钛矿薄膜还具有结晶性好,稳定性高,表面平整致密等优点。该方法有利于发展高效率钙钛矿薄膜光电器件,提升了钙钛矿薄膜在光电领域的应用潜力。
搜索关键词: 通过 二次 退火 引入 负离子 减小 钙钛矿 薄膜 方法
【主权项】:
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