[发明专利]一种低共熔溶剂体系中ITO废靶直接电解制备铟锡合金的方法在审
| 申请号： | 202211136362.4 | 申请日： | 2022-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN115386918A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 赵卓;徐亮;张楷;张晓峰;周晓伟;田勇攀;夏定武;祝若鑫 | 申请（专利权）人： | 安徽工业大学 |
| 主分类号： | C25C3/34 | 分类号： | C25C3/34 |
| 代理公司： | 安徽知问律师事务所 34134 | 代理人： | 金贝贝 |
| 地址： | 243100 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低共熔溶剂体系中ITO废靶直接电解制备铟锡合金的方法，属于有色金属冶金技术领域。本发明直接采用ITO废靶块料作为阴极，石墨作为阳极，在低共熔溶剂体系中进行直流电解，在电场作用下使ITO废靶中的氧原子得到电子形成氧离子进入电解质而从阴极上脱除，直接获得铟锡合金产品。本发明充分利用ITO废靶导电性良好的特性，通过一步电解工艺制备铟锡合金，具有工艺简单、成本低、铟和锡回收率高等特点，且获得的铟锡合金既可以直接用作生产ITO靶材的原料，亦可以进一步处理分离回收铟和锡金属产品，工艺灵活，有价元素综合回收率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低共熔 溶剂 体系 ito 直接 电解 制备 合金 方法 | ||
【主权项】：
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