[发明专利]OPC建模方法在审
| 申请号： | 202211111853.3 | 申请日： | 2022-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN115373211A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 潘奕诺;王英芳;金起鎬;陈少文;E·S·派仑特 | 申请（专利权）人： | 芯合半导体公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 顾丹丽 |
| 地址： | 中国香港西营盘正*** | 国省代码： | 香港;81 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种OPC建模方法，包括：确定光学模型参数和抗蚀剂模型参数；对各参数随机取值，生成多个参数组合；进行光刻仿真和对晶圆进行刻蚀，计算光刻仿真关键尺寸和晶圆刻蚀关键尺寸的差值的均方根值和泊松曲线误差值；根据帕累托定律进行评估，计算帕累托最优集至帕累托第N次优集，对多个参数组合按从优到劣的顺序进行排列；采用遗传算法对多个参数组合进行交叉和/或突变处理形成新的参数组合；对新的参数组合按照步骤S3～S5迭代，直到次数达到第一设定值，将此时得到的排列顺序最靠前的参数组合用于OPC建模。本发明在建模时对光学模型参数和抗蚀剂模型参数同时进行调整，可同时找出光学模型参数和抗蚀剂模型参数的最优值。 | ||
| 搜索关键词： | opc 建模 方法 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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