[发明专利]一种纳米银线抗静电聚酯薄膜的制备方法在审
申请号: | 202211078449.0 | 申请日: | 2022-09-05 |
公开(公告)号: | CN115260556A | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
发明(设计)人: | 林壁鹏;赵成海;秦柏威 | 申请(专利权)人: | 深圳市西陆光电技术有限公司 |
主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18;C08L67/02;C08K3/04;C08K7/08;C08K7/06;D01F9/08;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 广东中禾共赢知识产权代理事务所(普通合伙) 44699 | 代理人: | 赵浩 |
地址: | 518129 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种纳米银线抗静电聚酯薄膜的制备方法,包括如下步骤:步骤一:准备原料,原料的重量组分分别为聚对苯二甲酸丁二醇酯70份,聚对苯二甲酸乙二醇酯30份,相容剂7.5份,碳纳米管6.5份,Fe3O4纳米线7.5份,石墨烯4份,纳米银线3份,表面处理剂0.8份,抗氧剂0.75份;步骤二:将上述原料混合均匀后加入到双螺杆共混造粒机内进行熔融混合成颗粒状;步骤三:将混料送入至干燥塔内进行烘干结晶;步骤四:干燥后的混料通过熔融挤出设备中挤出成型后以冷却,将冷却后的固体进行纵向拉伸和横向拉伸,最后热定型,得到抗静电聚酯薄膜。本发明制备的抗静电聚酯薄膜通过四种填料实现了在聚合物基体中填料的低接触电阻、高导电网络的有效搭建。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 抗静电 聚酯 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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