[发明专利]一种高N掺量纳米CeO2有效

专利信息
申请号: 202211063544.3 申请日: 2022-08-31
公开(公告)号: CN115520893B 公开(公告)日: 2023-08-18
发明(设计)人: 兰苑培;张俊山;毛锡嵩;李军旗;陈朝轶;张伟;王林珠;杨凡;储智尧;宁德阳;刘丰源;王凡;邹舟 申请(专利权)人: 贵州大学
主分类号: C01F17/235 分类号: C01F17/235;C01F17/10;B82Y40/00
代理公司: 北京中仟知识产权代理事务所(普通合伙) 11825 代理人: 田江飞
地址: 550025 *** 国省代码: 贵州;52
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摘要: 发明公开了一种高N掺量纳米CeO2的制备方法,以CeCO3OH粉体为原料,通过氮源溶液浸渍后在一定气氛条件下焙烧,获得高N掺量的纳米CeO2。本发明通过采用CeCO3OH作为原料,通过氮源溶液充分浸渍过,CeCO3OH与含氮原料紧密接触,在CeCO3OH热分解过程中原有旧键断裂与CeO2新键形成,从而使得N更容易进入不断生成的CeO2晶格中。实验结果表明,与直接向CeO2中掺N的工艺相比,本发明方法通过利用CeCO3OH的热分解过程来进行掺N处理而直接获得掺N的CeO2材料,其N的掺入量更多,CeO2材料中的N含量更高,CeO2的电荷传输特性得到了进一步的提升。
搜索关键词: 一种 纳米 ceo base sub
【主权项】:
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