[发明专利]一种双模式高分辨干涉光刻装置及方法在审
| 申请号： | 202211050154.2 | 申请日： | 2022-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN115309009A | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 罗先刚;杨东旭;王彦钦;孔维杰;赵承伟;吴斯翰;赵泽宇;王长涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王文思 |
| 地址： | 610209 *** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种双模式高分辨干涉光刻装置及方法，包括：前端光路模块，沿光路依次包括激光光源、调节镜组和棱镜，激光光源产生的光经调节镜组的分束调节形成至少两束相干光，相干光垂直进入棱镜、经棱镜斜边全反射后在棱镜的底面汇聚；后端膜层模块，包括浸没式光刻模块或表面等离激元光刻模块；浸没式光刻模块包括匹配液层、衬底层、光刻膜层，相干光经棱镜的底面出射后在浸没式光刻模块中形成干涉并对光刻膜层进行曝光；表面等离激元光刻模块包括超透镜膜层、衬底层，超透镜膜层包括光刻胶层、金属层，汇聚后的相干光在棱镜底面外形成的倏逝波与超透镜膜层产生耦合并对光刻胶层进行曝光。本公开可兼容浸没式光刻和表面等离激元光刻两种模式。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双模 分辨 干涉 光刻 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院光电技术研究所，未经中国科学院光电技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211050154.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
