[发明专利]使用结合的XPS和XRF技术测定锗化硅厚度和组成在审
| 申请号： | 202211049485.4 | 申请日： | 2015-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN115388950A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 希思·A·波伊斯;李维迪 | 申请（专利权）人： | 诺威量测设备公司 |
| 主分类号： | G01D21/02 | 分类号： | G01D21/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 陈知宇 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及使用结合的XPS和XRF技术测定锗化硅厚度和组成。本发明具体描述了用于使用结合的XPS和XRF技术测定锗化硅厚度和组成的系统和途径。在实例中，用于表征锗化硅膜的方法包括产生X射线束。将样品定位于所述X射线束的路径中。收集通过用所述X射线束轰击所述样品产生的X射线光电子能谱(XPS)信号。还收集用所述X射线束轰击所述样品产生的X射线荧光(XRF)信号。由XRF信号或XPS信号或两者测定锗化硅膜的厚度或组成或两者。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 结合 xps xrf 技术 测定 锗化硅 厚度 组成 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于诺威量测设备公司，未经诺威量测设备公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202211049485.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
