[发明专利]一种八面体氧化铈磨粒抛光液及其制备方法、应用有效

专利信息
申请号: 202211037067.3 申请日: 2022-08-26
公开(公告)号: CN115160935B 公开(公告)日: 2023-08-25
发明(设计)人: 倪自丰;陈国美;戴蒙姣;陈宗昱 申请(专利权)人: 江南大学
主分类号: C09G1/02 分类号: C09G1/02
代理公司: 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 代理人: 彭素琴
地址: 214122 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及表面处理技术领域,具体为一种八面体氧化铈磨粒抛光液及其制备方法、应用。本发明以Ce3+、聚乙烯吡咯烷酮为原料,采用溶剂热法在较低温度及溶剂的自身压强下,控制六水合硝酸铈与聚乙烯吡咯烷酮的摩尔比为2:1,无水乙醇与去离子水的体积比为3:1,Ce3+浓度为0.1mol/L,成功制备出八面体形貌、粒径大小约为150nm、粒度分布均匀的八面体氧化铈磨粒。基于本发明的特定八面体氧化铈磨粒,通过特定浓度、特定种类的表面活性剂的选择十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)或十二烷基苯磺酸钠(SDBS),结合0.05mol/L的KMnO4,控制抛光液PH值为2时制得的抛光液,最终实现了抛后SiC晶片的不低于800nm/h,同时晶片表面粗糙度不高于0.28nm的技术效果。
搜索关键词: 一种 八面体 氧化 铈磨粒 抛光 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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