[发明专利]一种RF低噪放器件测试方法在审

专利信息
申请号: 202211035239.3 申请日: 2022-08-26
公开(公告)号: CN115327277A 公开(公告)日: 2022-11-11
发明(设计)人: 马卫东;李亚飞;张鸿;马开鹏;冉闯闯 申请(专利权)人: 成都思科瑞微电子股份有限公司
主分类号: G01R31/00 分类号: G01R31/00;G01R29/26;G01R1/18;G01R1/04
代理公司: 成都三诚知识产权代理事务所(普通合伙) 51251 代理人: 詹丽红
地址: 610000 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种RF低噪放器件测试方法,属于低噪放大器领域,包括测试仪器和防干扰设备;所述测试仪器包括射频噪声系数分析仪,用于对待检测RF低噪放器件进行S参数、增值和噪音系数测试,电源可对射频噪声系数分析仪和待检测的RF低噪放器件进行供电,通过设置的射频扼流圈和阻塞交流信号单元,便于降低射频信号对导线的影响,同时将隔直流电容器安装在射频噪声系数分析仪上,使其再对电路进行隔绝的同时也可以进行传输信号,用于对电源和RF低噪放器件连接的导线上设置射频扼流圈减少导线受到电磁信号干扰,避免由于电磁信号的干扰影响到RF低噪放器件的测试结果,从而提高RF低噪放器件测试精准度。
搜索关键词: 一种 rf 低噪放 器件 测试 方法
【主权项】:
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