[发明专利]一种n型SmMg2在审

专利信息
申请号: 202211020109.2 申请日: 2022-08-24
公开(公告)号: CN115701267A 公开(公告)日: 2023-02-07
发明(设计)人: 张倩;张宗委;毛俊;谢国强;曹峰;李孝芳;王心宇;刘兴军 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学(深圳)
主分类号: H10N10/853 分类号: H10N10/853;B22F3/14;B22F9/04;C22C1/04;C22C1/05;C22C12/00;H10N10/01
代理公司: 深圳市添源创鑫知识产权代理有限公司 44855 代理人: 覃迎峰
地址: 518000 广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种n型SmMg2Sb2基热电材料及其制备方法,所述n型SmMg2Sb2基热电材料的化学通式为SmMg2.3Sb2‑x‑yBiyTex,0x≤0.03,0≤y≤0.5。本发明的技术方案的SmMg2Sb2基热电材料具有较低的本征空穴浓度,室温下约4×1016 cm‑3,同时其电子迁移率比空穴迁移率高出220%,高温时(>600 K)电子浓度和空穴浓度相差较小,材料呈现出n型导电特征,态密度有效质量为2.6m0,高于所有报道的p型AB2X2合金。
搜索关键词: 一种 smmg base sub
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