[发明专利]一种氧化石墨烯插层二维高熵合金的制备方法有效

专利信息
申请号: 202211015405.3 申请日: 2022-08-23
公开(公告)号: CN115466898B 公开(公告)日: 2023-06-16
发明(设计)人: 贾丽华;张涛;贾莹;于国辉;于立波;闵楠;张德生;张明;孔红人;刘因;赫占太;刘欣仪 申请(专利权)人: 北京晨晰环保工程有限公司
主分类号: C22C30/00 分类号: C22C30/00;C22C1/10;B22F9/20;B22F1/068;B22F1/12;B01D53/86;B01D53/56
代理公司: 天津市创知联合知识产权代理事务所(普通合伙) 12267 代理人: 耿树志
地址: 101100 北京市通州*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种氧化石墨烯插层二维高熵合金的制备方法,包括:将表面功能化的石墨烯与溶剂混合,形成石墨烯溶液;将金属盐溶液与石墨烯溶液混合,加热回流,离心、干燥,在空气中煅烧,得到氧化石墨烯插层二维高熵合金。本发明采用带有多羟基的葡萄糖对石墨烯进行表面修饰,利用二维表面多羟基的石墨烯作为层状结构诱导剂,通过配位作用和静电引力使金属盐均匀地、高密度地分散在石墨烯表面,一步焙烧法制备石墨烯插层二维层状高熵合金材料。与传统的高熵合金制备方法相比,避免研磨过程,同时得到的材料为片层材料,具有孔道结构,比表面积相对较高,“鸡尾酒”效应明显。这提高了高熵合金在催化、传感等领域的应用潜力。
搜索关键词: 一种 氧化 石墨 烯插层 二维 合金 制备 方法
【主权项】:
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