[发明专利]一种异位成核的双层MoS2 在审
| 申请号： | 202210992813.8 | 申请日： | 2022-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN115156524A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 周喻;李成;范秀莲;邹路玮 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | B22F1/054 | 分类号： | B22F1/054;C23C16/30;C23C16/44;C23C16/455 |
| 代理公司： | 苏州科洲知识产权代理事务所(普通合伙) 32435 | 代理人： | 周亮 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米材料领域，公开了一种异位成核的双层二硫化钼纳米片及其制备方法。其采用三氧化钼、硫粉为前驱体，氯化钠为助熔剂，使用惰性气体氩气作为载气，在一定温度下反应。本发明通过简单方法引入对生长条件的扰动，即利用衬底硅片的特定倾角调控衬底表面气流方向以及局域反应剂浓度的变化，在加热和保温过程中，顶层二硫化钼的成核位点偏离底层二硫化钼的成核位点，形成了偏离底层中心成核点的双层堆叠方式。在未引入扰动的生长条件下，双层二硫化钼纳米片为同位成核生长。本发明可制备异位成核生长的双层二硫化钼纳米片，有效地减少热力学稳定的双层堆垛方式，实现对双层纳米片成核位置的调控，制备方法简单可行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 成核 双层 mos base sub | ||
【主权项】：
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