[发明专利]一种宽温区跨室温磁斯格明子材料及其制备方法与应用有效

专利信息
申请号: 202210947040.1 申请日: 2022-08-09
公开(公告)号: CN115125428B 公开(公告)日: 2023-03-10
发明(设计)人: 张义坤;李领伟 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: C22C30/02 分类号: C22C30/02;B22F1/052;B22F3/03;B22F9/04;C22C1/02;C22C30/06;G11C11/16
代理公司: 北京圣州专利代理事务所(普通合伙) 11818 代理人: 朱芳斌
地址: 310018 浙江省杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种宽温区跨室温磁斯格明子材料,化学通式为CoaZnbMncXd,其中X为Fe、Ni、Cu、Al、Zr、Cr、Ti中的一种或多种;其中a、b、c、d表示原子摩尔百分比含量,a+b+c+d=100,且25≤a≤45,25≤b≤45,10≤c≤30,0≤d≤10。本发明还公开了一种宽温区跨室温磁斯格明子材料的制备方法以及在磁存储器、逻辑运算中的应用。本发明采用上述宽温区跨室温磁斯格明子材料及其制备方法,能够解决现有的磁斯格明子材料在室温稳定性差的问题。
搜索关键词: 一种 宽温区跨 室温 磁斯格 明子 材料 及其 制备 方法 应用
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