[发明专利]一种基于9TSRAM的存内计算单元及阵列在审
| 申请号： | 202210947039.9 | 申请日： | 2022-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN115312093A | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 乔树山;陶皓;尚德龙;周玉梅 | 申请（专利权）人： | 中科南京智能技术研究院 |
| 主分类号： | G11C11/41 | 分类号： | G11C11/41;G06F7/52 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 万慧华 |
| 地址： | 211100 江苏省南京市江宁*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于9T SRAM的存内计算单元及阵列。该单元包括6TSRAM、管M7、管M8以及管M9；6T SRAM分别与字线WL、位线BL以及位线BLB连接；管M7的栅极与6T SRAM中的节点Q连接，管M7的漏极与位线RBL连接，管M7的源极与管M8的漏极以及管M9的源极连接，管M8的栅极与In端连接，管M8的源极接VSS，管M9的栅极与6T SRAM中的节点Q`连接，管M9的漏极与位线RBLB连接。本发明能够降低读写干扰的影响，进而提高计算的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 tsram 计算 单元 阵列 | ||
【主权项】：
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