[发明专利]一种化合物低温连续合成装置及合成方法在审
| 申请号： | 202210938160.5 | 申请日： | 2022-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN115869853A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 史艳磊;孙聂枫;王书杰;刘峥;付莉杰;徐成彦;秦敬凯;邵会民;王阳;李晓岚;刘惠生;张晓丹;张鑫;李亚旗;赵红飞;康永;谷伟侠;吴中超;吴畏;高鹏;王赫 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | B01J3/00 | 分类号： | B01J3/00;B01J3/02 |
| 代理公司： | 石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙) 13123 | 代理人： | 王苑祥;李双金 |
| 地址： | 050000 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 一种化合物低温连续合成装置及合成方法，属于化合物半导体技术领域，所述装置包括恒温腔、旋转飞轮系统、气源供气系统、金属滴液系统，所述方法包括：将合成所需的材料分别放置在金属滴液系统和气源供气系统中，将恒温腔升温并保持，将气氛元素注入恒温腔，启动旋转飞轮系统，加热金属滴液系统并将金属液滴注入到恒温腔，实现化合物的合成。本发明的合成温度远低于化合物的熔点温度，降低了化合物与容器的接触沾污，合成纯度高、设备制造难度低，气源损失少，可实现化合物多晶材料的高纯、低成本的合成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 低温 连续 合成 装置 方法 | ||
【主权项】：
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