[发明专利]一种铋离子和/或稀土离子共掺的偏硼酸钆荧光材料及合成方法在审

专利信息
申请号: 202210887806.1 申请日: 2022-07-26
公开(公告)号: CN115322783A 公开(公告)日: 2022-11-11
发明(设计)人: 赵庆彪;彭伊宁;代艳南;杨帅 申请(专利权)人: 华东师范大学
主分类号: C09K11/78 分类号: C09K11/78
代理公司: 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙) 31215 代理人: 徐筱梅;张翔
地址: 200241 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种铋离子和/或稀土离子共掺的偏硼酸钆荧光材料及合成方法,是在偏硼酸钆(Gd(BO2)3)基底中通过铋离子与稀土离子(RE3+)共掺杂得到具有高量子产率的光色可调荧光粉的合成方法。本方法通过高温固相反应制备出化学通式为Gd1‑x‑y(BO2)3:xBi3+‑yRE3+(其中x的取值范围为0x≤0.30,y的取值范围为0≤y≤0.10)的固体发光材料。在此类发光材料中通过调整铋离子和/或稀土离子的掺杂比例可以得到可应用于制备白光LED的具有高量子产率的白光荧光材料。
搜索关键词: 一种 离子 稀土 硼酸 荧光 材料 合成 方法
【主权项】:
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