[发明专利]一种双乙酰基二茂铁复合多孔硅电极材料及其制备和应用在审
申请号: | 202210868261.X | 申请日: | 2022-07-21 |
公开(公告)号: | CN115347160A | 公开(公告)日: | 2022-11-15 |
发明(设计)人: | 汪徐春;王桂玲;江高波;张雪梅;周化光;陈俊明;郑胜彪;姚悦;张玉洋;汤凯 | 申请(专利权)人: | 安徽科技学院 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/139;H01M4/1395;H01M4/1399;H01M4/38;H01M4/60 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 廖碧淳 |
地址: | 233100*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种双乙酰基二茂铁复合多孔硅电极材料及其制备和应用。所述电极材料由多孔硅与双乙酰基二茂铁通过固相反应得到。本发明在复合电极中,采用由双乙酰基二茂铁与多孔硅复合所得的电极材料,一方面形成了π电子共轭体系,提高了多孔硅的比容量以及复合电极的充放电性能,另一方面通过乙酰基上的氢氧键增强与多孔硅的结合力,减小了多孔硅在充放电时的体积膨胀,提高了复合电极的充放电容量和安全性等,进而显著提升了复合电极的电化学性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 乙酰 基二茂铁 复合 多孔 电极 材料 及其 制备 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽科技学院,未经安徽科技学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210868261.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种粘合方法和瓶体
- 下一篇:一种戈登氏菌及其应用