[发明专利]SiCMOSFET器件的结温校准曲线生成方法及结温评估方法和系统在审
| 申请号： | 202210867983.3 | 申请日： | 2022-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN115236477A | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 吴军科;李辉;魏云鹏;魏向楠;古书杰;范兴明 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学;南宁桂电电子科技研究院有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 重庆航图知识产权代理事务所(普通合伙) 50247 | 代理人： | 孙方 |
| 地址： | 541000 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种SiC MOSFET器件的结温校准曲线生成方法及其结温评估方法和系统，首先获取SiC MOSFET器件在不同结温下的跨导算术平方根；然后对跨导算术平方根和温度的关系进行线性拟合得到跨导算术平方根与温度的线性关系式，由该关系式建立结温校准曲线；最后根据测试待评估器件的跨导算术平方根并通过查询校准曲线或由线性关系式进行计算得到器件结温。该方法克服了功率半导体器件的传统结温测量方法流程繁琐、精度低、难以在线应用等弊端，SiC MOSFET器件的跨导算术平方根与结温呈线性关系，进行结温评估时精度较高，可在线应用，能够实现器件结温的准确评估；同时，该方法可以测量出单个开关周期引起的器件结温波动；通过对器件结温的准确评估，可有效提高器件的运行可靠性与研究开发的经济性。 | ||
| 搜索关键词： | sicmosfet 器件 校准 曲线 生成 方法 评估 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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