[发明专利]一种电光调制集成波导结构在审
| 申请号： | 202210864388.4 | 申请日： | 2022-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN115166898A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 姚丹阳;刘艳;韩根全;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G02B6/10 | 分类号： | G02B6/10;G02B6/12 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 侯琼;王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电光调制集成波导结构，主要解决现有技术中氮化铝电光调制器调制深度和速率不足的问题。方案为：自下而上包括硅衬底、氧化硅埋层、半导体薄层和波导调制区域；其中，半导体薄层厚度不超过100nm；波导调制区域包括波导、盖层、顶电极和底电极；波导位于半导体薄层的上表面中间位置，并与半导体薄层紧密接触；盖层覆盖在波导和半导体薄层之上；顶电极位于波导的正上方，并与盖层紧密接触；底电极位于波导的一侧。本发明能够有效避免氧化硅介质的过度分压作用，实现电场最大化利用；同时，具有结构工艺简单、成本低廉且兼容性强的特点，可大幅度提高氮化铝电光调制器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电光 调制 集成 波导 结构 | ||
【主权项】：
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