[发明专利]一种基于非晶碳的低电流热稳定互补型忆阻器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210823850.6 | 申请日： | 2022-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN115207214A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 赵晓宁;田巧玲;王中强;徐海阳;刘益春 | 申请（专利权）人： | 东北师范大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 辽宁鸿文知识产权代理有限公司 21102 | 代理人： | 王海波 |
| 地址： | 130024 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于非晶碳的低电流热稳定互补型忆阻器及其制备方法，属于微电子材料器件领域，其结构由下至上依次包括基片、底电极层、含有限活性金属非晶碳层、有限活性金属、纯非晶碳介质层、顶电极层；所述含有限活性金属非晶碳层提供有限数量的活性金属，通过电化学氧化还原反应，活性金属的耗尽可以在单个器件中产生互补电阻开关行为并且具有高温稳定性。除此之外，通过限制含有限活性金属非晶碳层中活性金属的掺杂浓度，可获得低开启电流，有利于降低器件运行电流和高温下稳定工作，有利于解决高密度集成阵列的串扰电流问题，利于商业化推广实用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 非晶碳 电流 稳定 互补 型忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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