[发明专利]纳米阵列结构AlGaAs光电阴极及其制备方法

摘要

本发明提出了一种纳米阵列结构AlGaAs光电阴极及其制备方法，该光电阴极包括自下而上设置的GaAs衬底层、GaAs缓冲层、AlxGa1‑xAs阻挡层、AlyGa1‑yAs发射层以及通过超高真空激活工艺在发射层表面形成的Cs/O或Cs/NF3激活层；所述AlyGa1‑yAs光电发射层自下而上包括AlyGa1‑yAs基底层以及通过刻蚀AlyGa1‑yAs发射层构造的纳米结构阵列。本发明采用的纳米结构阵列为若干等间距分布的圆柱或方柱结构阵列，通过调整纳米结构的尺寸、形状和排列周期，可实现光电阴极组件整体对532nm波长处的吸收率的提高，从而提高反射式AlGaAs光电阴极在532nm波长处的量子效率。