[发明专利]一种基于1D3V统计理论建模的微放电阈值预测方法及系统在审

专利信息
申请号: 202210778198.0 申请日: 2022-06-29
公开(公告)号: CN115099074A 公开(公告)日: 2022-09-23
发明(设计)人: 林舒;屈皓;钟环;翟永贵;李永东;王洪广;翁明 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: G06F30/22 分类号: G06F30/22;G06F17/18;G06F111/10
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 高博
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种基于1D3V统计理论建模的微放电阈值预测方法及系统,将微放电过程中电子的运动速度从一维拓展到三维,通过优化后的数值建模减少电子轨迹计算量,根据材料的SEY参数模型快速求解对应有效二次电子倍增率,考虑了电子运动的角动量对微放电过程的影响。实际工程中,特别是对于同轴结构,器件内的弯曲表面会增强电子角动量对微放电建立的影响。
搜索关键词: 一种 基于 d3v 统计 理论 建模 放电 阈值 预测 方法 系统
【主权项】:
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