[发明专利]一种灵敏体积内单粒子翻转效应的模拟计算方法在审

专利信息
申请号: 202210769955.8 申请日: 2022-06-30
公开(公告)号: CN115169210A 公开(公告)日: 2022-10-11
发明(设计)人: 李兴冀;杨剑群;应涛;魏亚东;荆宇航 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: G06F30/25 分类号: G06F30/25;G06N3/00;G06F111/08
代理公司: 北京隆源天恒知识产权代理有限公司 11473 代理人: 尹泽民
地址: 150000 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 发明提供一种灵敏体积内单粒子翻转效应的模拟计算方法,包括:在Geant4环境中,通过几何描述标示语言建立半导体器件的结构模型;通过蒙特卡罗方法对辐射粒子入射所述半导体器件的物理过程进行仿真,得出所述半导体器件中的淀积电荷量以及敏感区域电荷收集量数据;通过步骤S2得到的数据计算出所述半导体器件的单粒子翻转效应;根据计算结果对所述半导体器件的抗辐射性能进行评估与优化。本发明提供的灵敏体积内单粒子翻转效应的模拟计算方法步骤简单、易于操作,且计算效率较高,对粒子入射器件过程中的辐射屏蔽分析具有重要意义。
搜索关键词: 一种 灵敏 体积 粒子 翻转 效应 模拟 计算方法
【主权项】:
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