[发明专利]基于离子注入技术模拟硅表面氧化层生长的方法在审
| 申请号： | 202210762601.0 | 申请日： | 2022-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN115186462A | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 刘中利;李兴冀;杨剑群;徐晓东;崔秀海 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 北京隆源天恒知识产权代理有限公司 11473 | 代理人： | 万娟 |
| 地址： | 150000 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于离子注入技术模拟硅表面氧化层生长的方法，涉及半导体材料制备技术领域，包括如下步骤：步骤S1：构建单晶硅的模型，在模型中的单晶硅表面设置真空层，采用反应力场分子动力学方法使单晶硅处于初始平衡状态；步骤S2：加热单晶硅至反应温度，间隔预设时间，重复在随机位置将O原子向单晶硅表面发射，至单晶硅表面发生氧化反应；待氧化反应结束并达到平衡状态后，对模型退火，得到氧化层；步骤S3：获取并评估氧化层的组织形态参数，若组织形态参数未满足预设要求，重复并优化步骤S1和步骤S2直到组织形态参数达到预设要求。本发明通过获取的工艺参数指导实际离子注入技术，实现低成本高效率的指导作用。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 离子 注入 技术 模拟 表面 氧化 生长 方法 | ||
【主权项】：
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