[发明专利]像素单元非均匀分布的厚硅像素探测器及制备方法有效
| 申请号： | 202210667672.2 | 申请日： | 2022-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN115052116B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 钟华强 | 申请（专利权）人： | 无锡鉴微华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H04N25/30 | 分类号： | H04N25/30;H04N25/75;H04N25/78;H01L27/146 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 过顾佳 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新吴区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种像素单元非均匀分布的厚硅像素探测器及制备方法。按其包括厚硅像素探测器本体，所述厚硅探测器本体包括用于对高能X射线探测的像素面以及用于接收高能X射线入射的入射探测面，其中，像素面包括若干呈阵列分布的像素单元，沿X射线的吸收路径上，像素面内位于的同一列像素单元配置成具有相同的饱和计数率，以使得经入射探测面入射的高能X射线沉积在同一列内任一像素单元的光子数相一致。本发明能实现对X射线高效的探测，像素单元采用非均匀大小设计，实现每个像素单元饱和计数率的一致，降低了后续读出电路的数量与探测成本，提高X射线探测的精度与可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 单元 均匀分布 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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