[发明专利]一种仿真MCU受辐射故障射注入方法、存储介质及系统在审
| 申请号： | 202210620132.9 | 申请日： | 2022-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN115221678A | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 董佳杰;赵原;曹勤剑;夏三强;李岩;王晓龙;赵恒椿 | 申请（专利权）人： | 中国辐射防护研究院 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F30/25 |
| 代理公司： | 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 | 代理人： | 田明;任晓航 |
| 地址： | 030006 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种仿真MCU受辐射故障射注入方法，包括步骤：构建堆栈备份区域，实时记录当前运行数据；检测是否产生中断信号，并在产生中断信号时，判断中断信号的类型；根据中断信号的类型在构建的堆栈备份区域进行修改，并写入原位置，以产生模拟故障注入。本发明还提供一种存储介质及一种仿真MCU受辐射故障射注入系统，采用本发明所述的仿真MCU受辐射故障射注入方法、存储介质及系统实现了脱离实际测试环境，使用软件仿真受辐照器件上动态存储区产生的单粒子翻转现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 仿真 mcu 辐射 故障 注入 方法 存储 介质 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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