[发明专利]一种自支撑式钾离子预嵌入锰基正极及其制备方法与应用在审

专利信息
申请号: 202210585267.6 申请日: 2022-05-27
公开(公告)号: CN115172639A 公开(公告)日: 2022-10-11
发明(设计)人: 冯婷婷;谭杰;吴孟强;张庶 申请(专利权)人: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
主分类号: H01M4/02 分类号: H01M4/02;H01M4/505;H01M10/36
代理公司: 重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙) 50213 代理人: 雷晕
地址: 313000 浙江省湖州市西塞*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供了一种自支撑式钾离子预嵌入锰基正极及其制备方法与应用的制备方法与应用,属于电化学储能领域。所述正极包括三维层状碳基导电基底(LGP)与预嵌入钾离子的二氧化锰(KxMnO2)。所述预嵌入钾离子的二氧化锰(KxMnO2)为纳米团簇聚合形成的纳米花与纳米片阵列结构,其均匀生长在三维层状碳基导电的层间与表面。与现有技术相比,本发明提供的三维层状碳基导电基底具有丰富的层间距与表面积,不仅为二氧化锰的生长提供了丰富的活性位点,而且增加了其导电性,并且能够实现电解液与活性物质的充分。同时通过钾离子的预嵌入,稳定了二氧化锰的晶体结构,使得其循环稳定性大大增加。
搜索关键词: 一种 支撑 离子 嵌入 正极 及其 制备 方法 应用
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