[发明专利]一种二硫化钼气敏探测器在审

专利信息
申请号: 202210560708.7 申请日: 2022-05-23
公开(公告)号: CN114813882A 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 王泽高;陶锐 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: G01N27/414 分类号: G01N27/414
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610065 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于痕量气体检测技术领域,涉及一种气敏探测器,特别是一种以二硫化钼为导电层的栅控气敏探测器。该二硫化钼气敏探测器包括基底、二硫化钼、底栅介质层、源电极和漏电极,二硫化钼位于基底和底栅上方,源电极和漏电极位于二硫化钼两端。本发明采用底栅电极,该二硫化钼气敏探测器基底由导电硅层和二氧化硅层构成,绝缘的二氧化硅层作为底栅介质层,导电硅层作为底栅电极。本发明所采用的二硫化钼作为导电层,其二维状态下的高比表面积使得探测器能够检测低浓度的NO2,底栅电极的加入降低了二硫化钼的背底电流,光照增强了二硫化钼与二氧化氮气体分子之间的吸附作用,有效提高了探测器的灵敏度,检测极限和信噪比,有利于改善环境问题。
搜索关键词: 一种 二硫化钼 探测器
【主权项】:
暂无信息
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