[发明专利]一种二硫化钼气敏探测器在审
申请号: | 202210560708.7 | 申请日: | 2022-05-23 |
公开(公告)号: | CN114813882A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 王泽高;陶锐 | 申请(专利权)人: | 四川大学 |
主分类号: | G01N27/414 | 分类号: | G01N27/414 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610065 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: |
本发明属于痕量气体检测技术领域,涉及一种气敏探测器,特别是一种以二硫化钼为导电层的栅控气敏探测器。该二硫化钼气敏探测器包括基底、二硫化钼、底栅介质层、源电极和漏电极,二硫化钼位于基底和底栅上方,源电极和漏电极位于二硫化钼两端。本发明采用底栅电极,该二硫化钼气敏探测器基底由导电硅层和二氧化硅层构成,绝缘的二氧化硅层作为底栅介质层,导电硅层作为底栅电极。本发明所采用的二硫化钼作为导电层,其二维状态下的高比表面积使得探测器能够检测低浓度的NO |
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搜索关键词: | 一种 二硫化钼 探测器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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