[发明专利]一种带体电极隔离MOS管中和电容放大器及终端在审
| 申请号： | 202210542947.X | 申请日： | 2022-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN114900134A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 刘润宇;余益明 | 申请（专利权）人： | 成都通量科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/14 | 分类号： | H03F1/14;H03F1/26;H03F3/193;H03F3/45 |
| 代理公司： | 成都知棋知识产权代理事务所(普通合伙) 51325 | 代理人： | 马超前 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于无线通信技术领域，公开了一种带体电极隔离MOS管中和电容放大器及终端，带体电极隔离MOS管中和电容放大器设置有第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管；第一MOS管中的栅极接正相输入信号端Vin+，第一MOS管中的漏极接正相输出信号端Vout+；第二MOS管中的栅极接反相输入信号端Vin‑，第二MOS管中的漏极接负相输出信号端Vout‑；第三MOS管中的源极连接第一电阻，第三MOS管中的体电极连接第二电阻；第四MOS管中的源极连接第一电阻。本发明可以提高放大器的增益，优化放大器的噪声系数，有助于射频芯片整体性能的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电极 隔离 mos 中和 电容 放大器 终端 | ||
【主权项】：
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