[发明专利]一种Sm3+在审

专利信息
申请号: 202210539527.6 申请日: 2022-05-18
公开(公告)号: CN115073167A 公开(公告)日: 2022-09-20
发明(设计)人: 邓昭平;林权智 申请(专利权)人: 成都理工大学
主分类号: C04B35/475 分类号: C04B35/475;C04B35/622
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610059 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及一种Sm3+和NaNbO3共同修饰钛酸铋钠基铁电陶瓷材料及其制备方法,陶瓷材料的组分及含量为:1‑x(0.85Bi0.5Na0.5TiO3‑0.15Ba0.94Sm0.06TiO3)‑xNaNbO3,其中0≤x≤0.16。本发明的制备步骤包括:配料球磨、干燥、预烧、二次球磨、制片、烧结。本发明通过Sm3+和NaNbO3共同掺杂入0.85Bi0.5Na0.5TiO3‑0.15BaTiO3基体中,得到均一的钙钛矿结构的铁电陶瓷,并且在提高了其击穿强度的同时降低了剩余极化值,提高储能密度及稳定性,本发明方法制得的储能陶瓷能够在较高的击穿场强(100kV/cm)下获得1.207J/cm 3的高储能密度和79.19%的高能量效率,这有助于高功率大容量储存电容器的开发和应用。
搜索关键词: 一种 sm base sup
【主权项】:
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