[发明专利]一种Si NWs@ZIF-8核壳结构的生长方法有效
| 申请号： | 202210523222.6 | 申请日： | 2022-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN114768699B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 胡素娟;谢冬雪 | 申请（专利权）人： | 昆明学院 |
| 主分类号： | B01J13/02 | 分类号： | B01J13/02 |
| 代理公司： | 昆明金科智诚知识产权代理事务所(普通合伙) 53216 | 代理人： | 胡亚兰 |
| 地址： | 650214 云南*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Si NWs@ZIF‑8核壳结构的生长方法，包括以下步骤：S1、硅片清洗；S2、硅片刻蚀制备Si纳米线：S21、将硅片静置于硝酸银和氢氟酸混合溶液中；S22、用蒸馏水冲洗硅片副产物；S23、上述硅片放入浓硝酸中得到Si NWs；S3、Si NWs@ZnO制备：S31、将加热板加热并将已刻蚀的硅片置于其上；S32、取乙酸锌溶液滴加在硅片上并加热蒸干；S33、将上述材料置于马弗炉中退火；S34、配制乙酸锌溶液、六次亚甲基四胺溶液及聚乙烯亚胺的混合溶液；S35、将已刻蚀硅片与混合溶液放入水热釜中保温；S36、取出上述材料清洗；S37、将清洗后的材料置于马弗炉中保温，得到Si NWs@ZnO；S4、合成Si NWs@ZIF‑8。本发明采用涂敷和水热结合两部生长使ZIF‑8很好的附着在了Si NWs的表面,成功制备了Si NWs@ZIF‑8核壳结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si nws zif 结构 生长 方法 | ||
【主权项】：
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