[发明专利]一种应用于IPEM系统闪烁体薄膜厚度及均匀性的测量方法有效
| 申请号： | 202210506976.0 | 申请日： | 2022-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN114877816B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 钟向丽;陈雅;孙浩瀚;郭刚;刘建成;张艳文;张付强 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | G01B11/06 | 分类号： | G01B11/06;G01B7/06 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 符继超 |
| 地址： | 411105 *** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应用于IPEM系统闪烁体薄膜厚度及均匀性的测量方法，包括：实验前利用与束流线重合的红外激光对直角棱镜和金硅面垒探测器位置进行对准直；实验时调整离子束由高注量率向低注量率变化；辐照后通过sCMOS相机探测离子照射闪烁体薄膜后产生的光斑分布，测量得到闪烁体厚度的均匀性信息；对采集的瞬态信号通过示波器阻抗转换为瞬态电流波形，通过电荷量计算及能量转化，得到闪烁体薄膜的厚度。一方面通过sCMOS相机实时定性地分析薄膜厚度及均匀性，另一方面利用金硅面垒探测器捕获的瞬态脉冲离线定量地测量闪烁体薄膜的厚度；且有助于评估IPEM系统的空间分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 ipem 系统 闪烁 薄膜 厚度 均匀 测量方法 | ||
【主权项】：
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