[发明专利]基于金微纳锥形阵列结构的传感器及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202210475035.5 | 申请日： | 2022-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN114839164B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | 吴心成;吴伟;苏港;付永启 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N21/552 | 分类号： | G01N21/552;C25D1/00 |
| 代理公司： | 成都先导云创知识产权代理事务所(普通合伙) 51321 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于金微纳锥形阵列结构的传感器及其制备方法和应用，涉及光学传感器领域。本发明包括基底、位于所述基底上的铜粘合层薄膜、位于所述铜粘合层薄膜上的金薄膜以及位于所述金薄膜上金微纳锥形阵列结构。本发明提供的基于金微纳锥形阵列结构的传感器能够提供纳米量级的检测分辨率，有效提了LSPR传感器的检测分辨率和灵敏度。可适用于高分辨率的超出衍射极限的生物成像，可制备出产生纳米量级强电磁“热点”的高灵敏度LSPR传感器，在新冠病毒检测、超分辨率成像、环境监测等领域的应用中具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 金微纳 锥形 阵列 结构 传感器 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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