[发明专利]一种n型镁锑铋基多晶块体热电材料的制备方法在审
申请号: | 202210470979.3 | 申请日: | 2022-04-28 |
公开(公告)号: | CN114807655A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 樊希安;徐晨辉;孔栋;况志祥 | 申请(专利权)人: | 武汉科技大学 |
主分类号: | C22C1/04 | 分类号: | C22C1/04;B22F3/14;B22F9/04;C22C1/03;C22C12/00;C22C30/00;H01L35/18;H01L35/34 |
代理公司: | 武汉华旭知识产权事务所 42214 | 代理人: | 高剑锋 |
地址: | 430081 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明提供了一种中低温n型镁锑铋基多晶块体热电材料的制备方法,具体包括以下步骤:以Mg粒,Sb、Bi、Te锭作为单质原料,按Mg |
||
搜索关键词: | 一种 型镁锑铋 基多 块体 热电 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉科技大学,未经武汉科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210470979.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。