[发明专利]一种n型镁锑铋基多晶块体热电材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 202210470979.3 申请日: 2022-04-28
公开(公告)号: CN114807655A 公开(公告)日: 2022-07-29
发明(设计)人: 樊希安;徐晨辉;孔栋;况志祥 申请(专利权)人: 武汉科技大学
主分类号: C22C1/04 分类号: C22C1/04;B22F3/14;B22F9/04;C22C1/03;C22C12/00;C22C30/00;H01L35/18;H01L35/34
代理公司: 武汉华旭知识产权事务所 42214 代理人: 高剑锋
地址: 430081 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种中低温n型镁锑铋基多晶块体热电材料的制备方法,具体包括以下步骤:以Mg粒,Sb、Bi、Te锭作为单质原料,按Mg3.5Sb1.99‑xBixTe0.01化学计量比称取配料(0.29≤x≤1.69),将Mg与Sb、Bi、Te原料分开经过两次高温熔炼,结合SPS烧结制得了n型镁锑铋基多晶块体热电材料。本发明所制备的n型多晶块体热电材料制备方法简单、成本低、生产效率高、能有效避免Bi元素挥发,适合实际中大规模生产所用;所制备的n型镁锑铋基多晶块体热电材料产品的纯度和致密度较高、晶粒尺寸较大,电导率高,无量纲热电优值较高。
搜索关键词: 一种 型镁锑铋 基多 块体 热电 材料 制备 方法
【主权项】:
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