[发明专利]含强放射源的三维辐射剂量场的半物理仿真方法在审
| 申请号： | 202210464808.X | 申请日： | 2022-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN114815662A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 潘清泉;刘晓晶;熊进标;柴翔;张滕飞 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G05B17/02 | 分类号： | G05B17/02 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王毓理;王锡麟 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种含强放射源的三维辐射剂量场的半物理仿真方法，采用实体构造结构对放射源及周边的包覆结构进行几何建模与材料建模，并根据放射性核素的物理特性设置放射源；然后通过在模型中降低实体结构的密度，获得三维辐射剂量场的全局基准分布，以该全局基准分布计算重要性参数；再逐渐提高实体结构的密度，并基于重要性参数进行全减方差模拟，获得三维辐射剂量场的全局渐近分布；最后结合全局基准分布和全局渐近分布计算出真实密度条件下的三维辐射剂量场的全局近似分布，进而设置重要性参数并执行蒙卡计算，以获得真实密度条件下的三维辐射剂量场分布。本发明能够有效提升蒙卡屏蔽计算的效率，实现对真实物理模型的高效精准的半物理仿真，从而提高放射源处理的安全性和可控性。 | ||
| 搜索关键词： | 放射源 三维 辐射 剂量 物理 仿真 方法 | ||
【主权项】：
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