[发明专利]优化半插入双层三段Halbach阵列永磁电机的方法有效
| 申请号： | 202210455278.2 | 申请日： | 2022-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN114598071B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 倪有源;杜君霞;邱志伟;肖本贤 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | H02K1/2783 | 分类号： | H02K1/2783;H02K1/2781 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230009 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种优化半插入双层三段Halbach阵列永磁电机的方法。通过半插入双层三段Halbach阵列内外层磁极磁化角度与中心永磁极弧系数，达到获取最优气隙磁密的方法。转子与对应的定子配合构成具有内外层磁极最优边磁磁化角度与中心永磁极弧系数的半插入双层三段Halbach阵列永磁电机。本发明可以提高插入式永磁电机的无槽径向气隙磁密基波幅值，从而在相同的体积和成本下，可以提高输出转矩，因此可提高该类电机的转矩密度和功率密度，同样适用于无转子铁心电机和外转子电机。 | ||
| 搜索关键词： | 优化 插入 双层 halbach 阵列 永磁 电机 方法 | ||
【主权项】：
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