[发明专利]一种基于InN/有机异质结构光电极材料及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 202210445008.3 | 申请日： | 2022-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN114921804B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 李国强;谢少华;刘乾湖;梁杰辉 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C25B11/04 | 分类号： | C25B11/04;C25B1/55;C25B1/04;C30B25/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 钟燕琼 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于InN/有机异质结构光电极材料及其制备方法与应用。该光电极材料包括Si衬底、所述Si衬底上设置的InN纳米柱、所述InN纳米柱上设置的有机材料层；所述有机材料层为聚合物材料层。本发明使用有机材料PM6不仅拓宽了光电极材料的吸收光谱范围，同时与InN纳米柱形成Z型异质结构，促进了电荷载流子的解离、传输及其在电极/电解液界面发生还原反应，大大提高了光电转换效率，从而有利于实现在一定偏压下光电化学水分解制氢，为高效利用太阳能转换为氢能提供了有效策略。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 inn 有机 结构 电极 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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