[发明专利]一种单斜白钨矿型钒酸铋光阴极薄膜及其制备方法和应用有效
申请号: | 202210434336.3 | 申请日: | 2022-04-24 |
公开(公告)号: | CN115010173B | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | 王松灿;黄维 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | C01G31/00 | 分类号: | C01G31/00;C25B1/04;C25B1/55;C25B11/087;C25B11/077;C25B11/02 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 张宇鸽 |
地址: | 710072 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种单斜白钨矿型钒酸铋光阴极薄膜及其制备方法和应用,属于光电催化技术领域,解决了现有单斜白钨矿型钒酸铋半导体材料只能作为光阳极材料的技术问题。本发明公开的制备方法:首先将导电基底进行预处理,提高其润湿性,将可溶性铋盐和可溶性钒盐分别配成溶液进行水热反应,将在导电基底上形成的薄膜进行激光烧结,得到一种单斜白钨矿型钒酸铋光阴极薄膜。本发明制备得到的单斜白钨矿型钒酸铋光阴极薄膜具有p型导电性,且具有一定的晶面取向性,在自然光照射下可实现分解水制取氢气,在光催化领域具有广阔的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 单斜 白钨矿 型钒酸铋光 阴极 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
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