[发明专利]用于高级图案化的准整体阴极接触方法在审
| 申请号： | 202210430274.9 | 申请日： | 2022-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN116249371A | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 李汀珉;林裕新;陈重嘉;郑知泳;迪特尔·哈斯;金时经 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H10K50/80 | 分类号： | H10K50/80;H10K59/10 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文描述的多个实施方式涉及可用于显示器诸如有机发光二极管(OLED)显示器中的子像素电路和形成可用于显示器中的子像素电路的方法。所述子像素电路包括多个接触悬垂部。所述多个接触悬垂部设置在要形成的子像素电路的相邻子像素之间。所述接触悬垂部形成在通过PDL结构暴露的金属网格之上。阴极经由蒸发沉积进行沉积以与所述接触悬垂部进行接触。所述金属网格垂直于设置在基板上的多个金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高级 图案 整体 阴极 接触 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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