[发明专利]一种降低铌酸锂或钽酸锂晶片透明度和电阻率的方法在审
| 申请号： | 202210363840.9 | 申请日： | 2022-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN114737257A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 吴剑波;吴冰;张虞;倪荣萍;李胜雨 | 申请（专利权）人： | 苏州南智芯材科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/30 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 215536 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种降低铌酸锂或钽酸锂晶片透明度和电阻率的方法，通过将预处理的铌酸锂晶片或钽酸锂晶片与纯棉纸张或纤维布交替设置，构成层叠结构，在特定的退火炉工艺条件下，对晶片进行还原黑化处理，通过调节纯棉纸张或纤维布厚度与晶片厚度比值，能够可控制备还原程度不同的铌酸锂或钽酸锂黄黑片/灰片，有效解决了晶片黑化速度过快，晶片还原程度难以控制以及晶片完全黑化等问题，同时有效降低晶片电阻率及光穿透率，提升晶片性能，提高晶片质量并降低生产成本，整个工艺制备过程环保、无污染，还原黑化处理工艺精简，能耗低生产效率低，具有优异的实际生产价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 铌酸锂 钽酸锂 晶片 透明度 电阻率 方法 | ||
【主权项】：
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