[发明专利]高致密块体Cu2在审

专利信息
申请号: 202210339294.5 申请日: 2022-04-01
公开(公告)号: CN116924802A 公开(公告)日: 2023-10-24
发明(设计)人: 程鑫 申请(专利权)人: 武汉纺织大学
主分类号: C04B35/547 分类号: C04B35/547;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/632;C04B35/645;C04B35/65
代理公司: 武汉卓越志诚知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42266 代理人: 戴宝松
地址: 430200 湖*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明提供了一种高致密块体Cu2SnSe3热电材料及其低温烧结制备方法,该方法包括:S1.将Cu粉、Sn粉和Se粉按照Cu2SnSe3化学计量比混合研磨,得到混合粉体;然后加入所述混合粉体质量0.5%‑5%的溶剂,混合均匀,得到预制物料;S2.将所述预制物料置于高压模具中,在150‑220℃下进行高压低温烧结,即得到高致密块体Cu2SnSe3热电材料;其中,所述溶剂的沸点低于高压低温烧结的温度。本发明通过在原料粉体中混入少量挥发性溶剂,包裹原料颗粒,使得在高压低温烧结过程中,溶剂挥发离开反应体系形成毛细管作用力,从而使颗粒间结合更紧密,进而提高热电材料的致密性和强度以及热电性能。
搜索关键词: 致密 块体 cu base sub
【主权项】:
暂无信息
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