[发明专利]高灵敏度在片集成伪参比栅极的pH传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202210326643.X | 申请日： | 2022-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN114624302A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 张宇燕;肖梦梦;高云飞 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学;北京元芯碳基集成电路研究院 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30 |
| 代理公司： | 南京行高知识产权代理有限公司 32404 | 代理人： | 王培松;王菊花 |
| 地址： | 411105 湖南省湘潭市雨湖区*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高灵敏度在片集成伪参比栅极的pH传感器及其制备方法，pH传感器包括：硅基衬底；位于硅基衬底表面的介电层；源极电极与漏极电极；CNT沟道层；伪参比栅极，位于介电层远离硅基衬底一侧；钝化层，被设置包裹在源极电极与漏极电极的表面，使得在pH传感器在测量液体pH值时，仅CNT沟道层和伪参比栅极暴露在液体环境中。相比传统pH传感器体积庞大的参比电极设计，本发明在片集成伪参比栅极的pH传感器，基于尺寸效应可实现pH传感器的小型化、易于集成的设计，实现便携、实时的pH检测；同时基于尺寸效应可突破能斯特极限，实现高灵敏度设计，从而同时解决传统pH传感器的灵敏度以及难以集成的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 灵敏度 集成 栅极 ph 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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