[发明专利]根据存储单元的大小生成改进的读取电流的存储器件在审
| 申请号： | 202210301650.4 | 申请日： | 2022-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN115206366A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 金大植 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;王凯霞 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种包括磁存储元件的存储器件。该存储器件包括存储单元阵列、电压发生器和写入驱动器。存储单元阵列包括第一区域和第二区域。存储器件被配置为存储基于参考电阻的值确定的用于区分被编程的存储单元的平行状态和反平行状态的第一读取电流的值。感测电路被配置为基于第一读取电流的值生成第一读取电流，并基于第一读取电流对第一区域执行读取操作。 | ||
| 搜索关键词： | 根据 存储 单元 大小 生成 改进 读取 电流 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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