[发明专利]可变磁场后加载程度的霍尔推力器磁路结构及设计方法有效

专利信息
申请号: 202210296223.1 申请日: 2022-03-24
公开(公告)号: CN114658626B 公开(公告)日: 2022-10-04
发明(设计)人: 李鸿;钟超;丁永杰;魏立秋;于达仁 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: F03H1/00 分类号: F03H1/00;H01F27/24;H01F27/28;H01F27/30
代理公司: 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 代理人: 高志光
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 可变磁场后加载程度的霍尔推力器磁路结构及设计方法,所述结构包含内磁极,内铁芯、底板、外壳、外磁极、内永磁体、长内线圈、长内磁屏、短内线圈、短内磁屏、长外线圈、长外磁屏、短外线圈、短外磁屏和外永磁体;内永磁体固定在内磁极的外表面上,外永磁体固定在外磁极的外表面上,所述长内线圈、短内线圈、长外线圈和短外线圈缠绕在线圈架上,并将线圈架固定在底板上。所述设计方法为在底板上设计高度不同的磁屏结构,布置内永磁体和外永磁体,使得内永磁铁和外永磁铁形成主磁场,然后通过调节长内线圈、长外线圈与短内线圈、短外线圈的电流大小及正负,实现连续调整推力器的后加载程度。本发明可实时改变后加载程度,以契合不同的放电工况。
搜索关键词: 可变 磁场 加载 程度 霍尔 推力 磁路 结构 设计 方法
【主权项】:
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