[发明专利]高励磁性能后加载磁场霍尔推力器磁路结构及设计方法有效
| 申请号： | 202210294828.7 | 申请日： | 2022-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN114658625B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 李鸿;刘星宇;钟超;丁永杰;魏立秋;于达仁 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | F03H1/00 | 分类号： | F03H1/00;H01F7/02;H01F7/20 |
| 代理公司： | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人： | 高志光 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 高励磁性能后加载磁场霍尔推力器磁路结构及设计方法，所述结构包含内磁极、内铁芯、内线圈、内磁屏、底板、外壳、外线圈、外磁屏、外磁极、内永磁体和外永磁体，内永磁体固定在内磁极的上表面上，外永磁体固定在外磁极的上表面上；所述方法为组装磁路结构，内永磁体和外永磁体磁场沿推力器轴向，且方向相反，永磁体固定的磁力线方向可提供后加载磁场，采用永磁励磁形成一定后加载程度的主磁场，并采用线圈励磁形成后加载程度相同的调节磁场，实现通过线圈励磁调整通道内最大磁场强度。本发明可降低磁路内磁饱和程度，并增加后加载磁场霍尔推力器设计自由度。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 加载 磁场 霍尔 推力 磁路 结构 设计 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学，未经哈尔滨工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210294828.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
