[发明专利]磁传感器在审
| 申请号： | 202210285742.8 | 申请日： | 2022-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN115128519A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 远藤大三;坂胁彰 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/038 | 分类号： | G01R33/038;G01R33/06;G01R33/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李国卿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及磁传感器。本发明的课题是提高利用了磁阻抗效应的磁传感器的灵敏度。本发明的解决手段为：磁传感器(1)具备非磁性的基板(10)、和设置于基板(10)上的感应元件(30)，所述感应元件(30)包含饱和磁化为300emu/cc以上且650emu/cc以下的、以Co为主成分的非晶合金的软磁体层(101)，并且，所述感应元件(30)具有长边方向和短边方向，在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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