[发明专利]改善SAW器件压电薄膜压电系数的设计方法及压电薄膜有效
| 申请号: | 202210268420.2 | 申请日: | 2022-03-18 |
| 公开(公告)号: | CN114664385B | 公开(公告)日: | 2023-05-05 |
| 发明(设计)人: | 杨成韬;茹子雄;李瑶瑶 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
| 主分类号: | G16C10/00 | 分类号: | G16C10/00;G16C60/00;C23C14/06;C23C14/35;H10N30/076 |
| 代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 敖欢 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供一种改善SAW器件压电薄膜压电系数的设计方法及得到的压电薄膜,包括步骤:(1)搭建晶胞模型,按照AlN卡片的原子位置添加,得到初级晶胞模型;(2)将搭建的初级晶胞模型扩展成超胞;(3)对超胞进行Sc原子掺杂,设置一个掺杂浓度得到掺杂后的超胞模型;(4)利用第一性原理计算Sc掺杂后的压电系数;(5)重复以上步骤,依次更换不同浓度的Sc原子掺杂,分别利用第一性原理计算Sc掺杂后的压电系数,压电系数最大的为Sc原子掺杂浓度最优值。本发明搭建模型并利用第一性原理计算,找到提升薄膜压电性能的方法,减少了实践中大量重复实验,提供了实验方向,减少实验成本。 | ||
| 搜索关键词: | 改善 saw 器件 压电 薄膜 系数 设计 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210268420.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。





