[发明专利]含钨正极活性材料、电化学装置和电子设备在审

专利信息
申请号: 202210254191.9 申请日: 2022-03-15
公开(公告)号: CN114665073A 公开(公告)日: 2022-06-24
发明(设计)人: 杨元婴;孙化雨;杨文龙;朱呈岭;莫方杰 申请(专利权)人: 远景动力技术(江苏)有限公司;远景睿泰动力技术(上海)有限公司
主分类号: H01M4/36 分类号: H01M4/36;H01M4/48;H01M4/485;H01M4/525;H01M10/0525
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 王艳斋
地址: 214400 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种含钨正极活性材料、电化学装置和电子设备,所述含钨正极活性材料包括中低镍低钴三元材料内核和包覆在所述中低镍低钴三元材料内核表面的钨化合物层,所述中低镍低钴三元材料内核掺杂有W离子,所述含钨正极活性材料中钨化合物层的质量含量为2000ppm至4000ppm。本发明通过在中低镍低钴三元材料的晶格中掺杂W离子并在其表面包覆钨化合物,改善中低镍低钴三元材料动力学性能和材料稳定性差等问题;同时,进一步调整了含钨正极活性材料中W元素的含量,使材料能够发挥出最佳的电化学性能。
搜索关键词: 正极 活性 材料 电化学 装置 电子设备
【主权项】:
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