[发明专利]一种CdSe量子点发光性能调控的方法有效
| 申请号： | 202210251444.7 | 申请日： | 2022-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN114591724B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 王锋;刘京;邵思远 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/88 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 许恒恒 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于胶体量子点发光材料领域，公开了一种CdSe量子点发光性能调控的方法，该方法是将CdSe量子点分散在溶剂中，同时向其中加入季胺化的吡啶类高分子和/或季胺化的吡啶类小分子，反应后即可得到表面钝化后的CdSe量子点；该方法能够中和CdSe量子点的表面悬空键，使荧光发射中辐射跃迁的比例增加，同时通过形成金属复合物来提升量子点的荧光量子产率，从而调控量子点发光性能。本发明通过向CdSe量子点表面引入吡啶类化合物、实现表面钝化，通过调节高分子的季胺化程度或小分子的浓度及体系的pH可以实现CdSe量子点的光致发光颜色改变，能够有效解决具有蓝光发射的CdSe量子点所需材料繁琐复杂，荧光量子产率较低等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cdse 量子 发光 性能 调控 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学，未经华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210251444.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
